Toshiba acaba de anunciar un gran avanzo en la MRAM, la memoria dinámica a magnetorresistencia túnel (TMR). La noticia lógicamente sigue al Premio Nobel de física recientemente recibido por dos investigadores francés y alemán, Albert Fert y Peter Grünberg, que permitieron dominar la creación de túneles de junción magnética (MTJ, Magnetic Tunnel Junctions), tecnología base de la MRAM.

La MRAM es una memoria no volátil bastante más rápida que la memoria Flash actual. Además su consumo es aun menor, y la relativa simplicidad de su estructura le promete un futuro radiante con muchas aplicaciones materiales.

Así Toshiba consiguió concebir su MRAM dominando el spin de los electrones para cambiar, con un mínimo de energía, la polaridad magnética en el seno de las junciones túnel magnéticas que forman la base de las células de memoria estática de la MRAM. Una segunda tecnología, el PMA (perpendicular magnetic anisotropy), permite entonces ordenar esas polaridades de manera vertical en la capa magnética de la pulga. Es precisamente la misma idea que se usa para la grabación PMR (perpendicular magnetic resistencia) de los discos duros, pero esa vez a nivel de semiconductores, explica Toshiba.

En escritura, Toshiba anuncia obtener 30 cambios de polaridad en 100 nanosegundos, o sea el equivalente de 35,7 MB/s sobre un bus teórico de 1 bit de datos, muy prometedor en cuanto alargas el bus de datos hacia 8 y 16 bits …